電子發燒友網綜合報道 最近，又國湖南三安半导体舉行了碳化硅芯片上車儀式，上車標志著國產車規級碳化硅主驅芯片實現從技術攻關到規模化裝車的又國WhatsApp%E3%80%90+86%2015855158769%E3%80%91crane%20operator%20jobs%20near%20me里程碑突破。此次三安 1200V 13mΩ SiC MOSFET芯片成功搭载理想高压平台车型，上车不仅验证了其在性能、又国可靠性与批量交付能力上的上车市场认可度，更通过与理想汽车的又国深度协同，构建起 “芯片自主 + 模块自研” 的上车国产新能源汽车核心动力解决方案。

作为国内为数不多具备 SiC 全产业链垂直整合能力的又国企业，三安半导体此次上车的上车碳化硅芯片背后，是又国覆盖长晶、衬底制备、上车WhatsApp%E3%80%90+86%2015855158769%E3%80%91crane%20operator%20jobs%20near%20me外延生长、又国芯片制造的上车全流程技术积淀。该 1200V 13mΩ 车规级 SiC MOSFET 作为第三代产品，又国通过元胞结构优化，将导通损耗较前代产品降低 18.75%，在 100A 工作电流下导通损耗仅为 13W，显著提升电驱系统效率。其核心技术优势源于三安在 8 英寸衬底领域的突破，湖南基地目前已实现 8 英寸衬底月产能 1000 片、外延月产能 2000 片，低缺陷密度工艺为芯片性能稳定性提供了关键保障。

依托 IATF16949 体系认证與 AEC-Q101 車規級產品认证，三安碳化硅芯片已累計出貨超 3 億顆，服務全球超 800 家客戶，規模化制造經驗確保了對理想汽車的穩定供應。湖南三安總經理江協龍強調，全產業鏈模式讓企業在產品迭代、質量管控與交付效率上形成獨特優勢，此次上車正是 “車規化、平臺化、高效能、全鏈自主” 核心戰略的實踐成果。

此次芯片成功装车，是双方自 2022 年启动合作以来的重要里程碑。当年，三安与理想合资成立苏州斯科半导体有限公司，投资 10 亿元建设碳化硅功率模块研發生產基地，規劃年產能 240 萬只碳化硅半橋功率模块，形成 “芯片制造 - 模塊集成 - 整車應用” 的閉環布局。2024 年底，合資公司一期產線正式通線，為此次規模化裝車奠定產能基礎；2025 年 6 月，理想在 TMC2025 年會上發布自研 LPM 功率模块后，雙方加速芯片與模塊的適配優化，最終實現核心部件的同步落地。

理想汽車動力驅動研發副總裁劉強表示，三安在第三代半导体領域的戰略布局，為理想純電產品的技術迭代提供了關鍵支撐。在技术交流中，雙方團隊圍繞碳化硅芯片在電驅系統、充電效率及平臺化應用的深度探討，進一步明確了基于三安 8 英寸襯底技術，將為理想高压平臺車型開發提供持續助力。儀式上，湖南三安贈送的8英寸 SiC MOSFET 芯片成品，既彰顯了技術自信，更預示著合作向更深層次推進。

三安碳化硅芯片的卓越性能，在理想自研 LPM 功率模块中得到充分釋放。這款歷時 3 年半研發的模塊，以系統級能效優化為核心，通過四大技術創新將等效串聯電感（ESL）降至 10nH，較行業平均水平降低 50%，配合三安芯片的低損耗特性，共同實現整車續航提升 7%。其中芯片本身貢獻 6%（約 40 公里）提升，模塊優化額外帶來 1%（約 7 公里）增益。

理想 LPM 模块的革命性设计尤为亮眼：其独创内部开窗架构，彻底取消外露功率端子与螺栓连接，通过高精度AMB 直接激光焊工艺实现电容与铜排的精准嵌套，使模块占地面积缩减 50%，Y 向尺寸减小 40mm，为后排乘客释放宝贵空间。这种跨层级集成设计，需要芯片性能与模块结构的深度适配，而三安芯片的稳定输出与灵活定制能力，为该创新提供了坚实基础。此外，模块搭载的封闭铜冷板、全自动化组装工艺及 72 项极端工况验证，进一步保障了三安芯片在整车场景下的可靠性。

此次合作的落地，不僅打破了國際廠商在高端車載碳化硅芯片領域的壟斷，更構建了車企與半导体企業深度協同的國產創新模式。三安通過 8 英寸產線產能爬坡與良率提升，持續降低碳化硅器件成本，而理想的模塊自研則推動核心技術向應用端高效轉化，兩者形成的合力正在加速 800V 高压平臺的普及。數據顯示，搭載該方案的理想車型可支持 300 千瓦以上超快充功率，實現 10 分鐘補能 500 公里的用戶體驗。

展望未來，三安半导体計劃在未來三至五年持續加大車規級 SiC MOSFET 與 GaN 研發投入，重慶基地 2000片/月的 8 英寸襯底產能也將逐步釋放；理想汽車則將在純電車型中全系應用該技術方案，并深化與三安在下一代芯片與模塊集成上的合作。隨著國產碳化硅產業鏈從材料、芯片到模塊應用的全面成熟，中國新能源汽車產業正實現核心動力部件的自主可控。